ＪＸ金属、負熱膨張材料「ZrW₂O₈」など次世代半導体材料・技術をSEMICON Japan 2025で紹介

ＪＸ金属株式会社は、SEMICON Japan 2025（2025年12月17日～12月19日、会場：東京ビッグサイト）に出展し、多様な次世代半導体材料・技術を展示紹介しました。

ＪＸ金属は非鉄金属業界のリーディングカンパニーとして、銅・レアメタル・貴金属などの非鉄金属資源と先端素材を供給しています。資源開発から金属製錬、先端素材の開発・製造、環境リサイクルにいたるまで、確かな技術に立脚した幅広い事業を通して、これからも社会の持続可能な発展に貢献していきます。

ZrW₂O₈は温度上昇と共に収縮する負の熱膨張を持っており、各種素材との複合材を作ることで熱膨張率差による製品設計や製品寿命の課題解決に貢献します。

・マイナスの温度域から高温まで広い温度範囲（約－270～約600℃）で安定的に負の熱膨張特性を発現します。
・立方晶であり、他の負熱膨張材料と比較し、等方的に収縮と熱膨張を繰り返す材料です。
・熱膨張係数の変化は混合体積比に比例する為、熱膨張係数の制御が容易です。
（一定以上のZrW₂O₈を正しく分散させた場合）
・電気抵抗が高く、絶縁層に使用される有機系の材料との相性に優れています。

高純度ターゲット×AgコートCuペーストによりVia充填の時間短縮・CMP負荷低減を実現します。

ガラス基板はAIサーバー実装に最適で注目されていますが、密着性や工程の課題があります。JX金属グループでは信頼性と生産性を向上に向けTGV充填プロセス用の材料を開発しています。

CuペーストによるVia充填で、従来の電解めっき工程を大幅に短縮。さらに、直接充填によりCMP時の基板負荷も低減します。

特長
・JX金属グループが有する広範な上～下流の事業領域を活用した堅牢なサプライチェーン
・半導体ターゲット事業で培った精密な微粒加工技術
・銅の品位とリン濃度が安定しており、粒径も均一です。

独自精製技術でSn/Biのα線放出量を低限まで低減し、鋳造後も安定して抑制され、経時変化は見られません。